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First generation of deep n-well CMOS MAPS with in-pixel sparsification for the ILC vertex detector
2009-01-01 Traversi, Gianluca; Manghisoni, Massimo; Re, Valerio; Ratti, Lodovico; Pozzati, Enrico; Jastrzab, Marcin; Caccia, Massimo; Bulgheroni, Antonio
First results from the characterization of a three-dimensional deep N-well MAPS prototype for vertexing applications
2013-01-01 Ratti, Lodovico; Gaioni, Luigi; Manazza, Alessia; Manghisoni, Massimo; Re, Valerio; Traversi, Gianluca
First test results of the CHIPIX65 asynchronous front-end connected to a 3D sensor
2019-01-01 Gaioni, Luigi; DE CANIO, Francesco; Manghisoni, Massimo; Ratti, L.; Re, Valerio; Sonzogni, Mauro; Traversi, Gianluca
Forecasting noise and radiation hardness of CMOS front-end electronics beyond the 100 nm frontier
2010-01-01 Re, Valerio; Gaioni, Luigi; Manghisoni, Massimo; Ratti, Lodovico; Traversi, Gianluca
From 65 nm to 28 nm CMOS: design of analog building blocks of frontend channels for pixel sensors in high-energy physics experiments
2023-12-29 Traversi, Gianluca; Gaioni, Luigi; Galliani, Andrea
Front-end electronics in a 65 nm CMOS process for high density readout of pixel sensors
2011-01-01 Gaioni, Luigi; Manghisoni, Massimo; Ratti, Lodovico; Traversi, Gianluca; Re, Valerio
Front-end performance and charge collection properties of heavily irradiated DNW MAPS
2010-01-01 Ratti, Lodovico; Manghisoni, Massimo; Re, Valerio; Traversi, Gianluca; Zucca, Stefano; Bettarini, Stefano; Morsani, Fabio; Rizzo, Giuliana
Gamma-ray response of SOI bipolar junction transistors for fast, radiation tolerant front-end electronics
2004-01-01 Manghisoni, Massimo; Ratti, Lodovico; Re, Valerio; Speziali, Valeria; Traversi, Gianluca; Fallica, G.
Heavily irradiated 65-nm readout chip with asynchronous channels for future pixel detectors
2018-01-01 Gaioni, Luigi; DE CANIO, Francesco; Manghisoni, Massimo; Ratti, L.; Re, Valerio; Sonzogni, Mauro; Traversi, Gianluca
Impact of lateral isolation oxides on radiation-induced noise degradation in CMOS technologies in the 100-nm regime
2007-01-01 Re, Valerio; Manghisoni, Massimo; Traversi, Gianluca; Ratti, Lodovico; Speziali, Valeria
| Data di pubblicazione | Titolo | Autore/i | Tipologia | Documento allegato |
|---|---|---|---|---|
| 1-gen-2009 | First generation of deep n-well CMOS MAPS with in-pixel sparsification for the ILC vertex detector | Traversi, Gianluca; Manghisoni, Massimo; Re, Valerio; Ratti, Lodovico; Pozzati, Enrico; Jastrzab, Marcin; Caccia, Massimo; Bulgheroni, Antonio | 1.1 Contributi in rivista - Journal contributions::1.1.01 Articoli/Saggi in rivista - Journal Articles/Essays | |
| 1-gen-2013 | First results from the characterization of a three-dimensional deep N-well MAPS prototype for vertexing applications | Ratti, Lodovico; Gaioni, Luigi; Manazza, Alessia; Manghisoni, Massimo; Re, Valerio; Traversi, Gianluca | 1.1 Contributi in rivista - Journal contributions::1.1.01 Articoli/Saggi in rivista - Journal Articles/Essays | |
| 1-gen-2019 | First test results of the CHIPIX65 asynchronous front-end connected to a 3D sensor | Gaioni, Luigi; DE CANIO, Francesco; Manghisoni, Massimo; Ratti, L.; Re, Valerio; Sonzogni, Mauro; Traversi, Gianluca | 1.1 Contributi in rivista - Journal contributions::1.1.01 Articoli/Saggi in rivista - Journal Articles/Essays | |
| 1-gen-2010 | Forecasting noise and radiation hardness of CMOS front-end electronics beyond the 100 nm frontier | Re, Valerio; Gaioni, Luigi; Manghisoni, Massimo; Ratti, Lodovico; Traversi, Gianluca | 1.1 Contributi in rivista - Journal contributions::1.1.01 Articoli/Saggi in rivista - Journal Articles/Essays | |
| 29-dic-2023 | From 65 nm to 28 nm CMOS: design of analog building blocks of frontend channels for pixel sensors in high-energy physics experiments | Traversi, Gianluca; Gaioni, Luigi; Galliani, Andrea | 1.1 Contributi in rivista - Journal contributions::1.1.01 Articoli/Saggi in rivista - Journal Articles/Essays | |
| 1-gen-2011 | Front-end electronics in a 65 nm CMOS process for high density readout of pixel sensors | Gaioni, Luigi; Manghisoni, Massimo; Ratti, Lodovico; Traversi, Gianluca; Re, Valerio | 1.1 Contributi in rivista - Journal contributions::1.1.01 Articoli/Saggi in rivista - Journal Articles/Essays | |
| 1-gen-2010 | Front-end performance and charge collection properties of heavily irradiated DNW MAPS | Ratti, Lodovico; Manghisoni, Massimo; Re, Valerio; Traversi, Gianluca; Zucca, Stefano; Bettarini, Stefano; Morsani, Fabio; Rizzo, Giuliana | 1.1 Contributi in rivista - Journal contributions::1.1.01 Articoli/Saggi in rivista - Journal Articles/Essays | |
| 1-gen-2004 | Gamma-ray response of SOI bipolar junction transistors for fast, radiation tolerant front-end electronics | Manghisoni, Massimo; Ratti, Lodovico; Re, Valerio; Speziali, Valeria; Traversi, Gianluca; Fallica, G. | 1.1 Contributi in rivista - Journal contributions::1.1.01 Articoli/Saggi in rivista - Journal Articles/Essays | |
| 1-gen-2018 | Heavily irradiated 65-nm readout chip with asynchronous channels for future pixel detectors | Gaioni, Luigi; DE CANIO, Francesco; Manghisoni, Massimo; Ratti, L.; Re, Valerio; Sonzogni, Mauro; Traversi, Gianluca | 1.1 Contributi in rivista - Journal contributions::1.1.01 Articoli/Saggi in rivista - Journal Articles/Essays | |
| 1-gen-2007 | Impact of lateral isolation oxides on radiation-induced noise degradation in CMOS technologies in the 100-nm regime | Re, Valerio; Manghisoni, Massimo; Traversi, Gianluca; Ratti, Lodovico; Speziali, Valeria | 1.1 Contributi in rivista - Journal contributions::1.1.01 Articoli/Saggi in rivista - Journal Articles/Essays |
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Tipologia
- 1.1.01 Articoli/Saggi in rivista - Journal Articles/Essays 139
Data di pubblicazione
- 2020 - 2024 19
- 2010 - 2019 80
- 2002 - 2009 40
Editore
- Elsevier Science Limited 23
- Elsevier 12
- IEEE / Institute of Electrical and Electronics Engineers Incorporated 9
- Institute of Physics Publishing 8
- IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) 7
- IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society 7
- IOP (Institute of Physics Publishing) 5
- ELSEVIER 4
- IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC 2
- IOP Publishing 2
Rivista
- NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT 58
- IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE 41
- JOURNAL OF INSTRUMENTATION 30
- ELECTRONICS 3
- NUCLEAR PHYSICS B-PROCEEDINGS SUPPLEMENTS 2
- ELEKTROTECHNIK UND INFORMATIONSTECHNIK 1
- IEEE SENSORS JOURNAL 1
- IL NUOVO CIMENTO C 1
- IL NUOVO CIMENTO DELLA SOCIETÀ ITALIANA DI FISICA. B, GENERAL PHYSICS, RELATIVITY, ASTRONOMY AND MATHEMATICAL PHYSICS AND METHODS 1
- THE EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL. C, PARTICLES AND FIELDS 1
Settore disciplinare
- Settore ING-INF/01 - Elettronica 126
- Settore FIS/01 - Fisica Sperimentale 1
Keyword
- CMOS 31
- Instrumentation 18
- microelectronics 18
- MAPS 14
- Front-end electronics for detector readout 13
- Nuclear and High Energy Physics 13
- Mathematical Physics 12
- sensors 9
- Charged particle tracking 8
- CMOS pixels 8
Lingua
- eng 139
Accesso al fulltext
- reserved 70
- no fulltext 40
- open 24
- partially open 5
Appartenenza
- Dipartimento di Ingegneria e Scienze Applicate 139
- Universita' degli Studi di Bergamo 23
- Dipartimento di Ingegneria Gestionale, dell'Informazione e della Produzione 3
- Dipartimento di Scienze Umane e Sociali 1