This paper presents a study of the ionizing radiation tolerance of 0.13 /spl mu/m CMOS transistors, in view of the application to the design of rad-hard analog integrated circuits. Static, signal and noise parameters of the devices were monitored before and after irradiation with /sup 60/Co /spl gamma/-rays at a 10 Mrad total ionizing dose. The effects on key parameters such as threshold voltage shift and 1/f noise are studied and compared with the behavior under irradiation of devices in previous CMOS generations.

(2006). Total ionizing dose effects on the noise performances of a 0.13 /spl mu/m CMOS technology [journal article - articolo]. In IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. Retrieved from http://hdl.handle.net/10446/20139

Total ionizing dose effects on the noise performances of a 0.13 /spl mu/m CMOS technology

Re, Valerio;Manghisoni, Massimo;Traversi, Gianluca
2006-01-01

Abstract

This paper presents a study of the ionizing radiation tolerance of 0.13 /spl mu/m CMOS transistors, in view of the application to the design of rad-hard analog integrated circuits. Static, signal and noise parameters of the devices were monitored before and after irradiation with /sup 60/Co /spl gamma/-rays at a 10 Mrad total ionizing dose. The effects on key parameters such as threshold voltage shift and 1/f noise are studied and compared with the behavior under irradiation of devices in previous CMOS generations.
WOS:000238582300048
2-s2.0-33746365120
journal article - articolo
2006
Inglese
cartaceo
online
53
3
1599
1606
Settore ING-INF/01 - Elettronica
Technological research; Microelectronics; Deep submicron; CMOS; Semiconductor sensors
L’articolo si colloca nel contesto della ricerca sui dispositivi elettronici nelle tecnologie più avanzate oggi disponibili. Si tratta di dispositivi basati su strati di ossido di silicio di pochi nanometri, e con definizione geometrica dell’ordine di 100 nanometri, che trovano applicazione nei più innovativi sistemi di telecomunicazioni e di elaborazione delle informazioni. Si tratta di settori di ricerca fra i più attivi a livello scientifico internazionale. L’articolo analizza le prestazioni di questi dispositivi in sistemi per l’elaborazione analogica di segnali. Questa tematica è di fondamentale importanza per applicazioni in telecomunicazioni (sistemi wireless) e e nella strumentazione elettronica per misure con sensori in campo medico e industriale. Inoltre l’articolo affronta il problema della resistenza alle radiazioni, che, oltre a coinvolgere aspetti di notevole interesse dal punto di vista della fisica e della tecnologia dei dispositivi, è di fondamentale importanza per applicazioni spaziali (telecomunicazioni satellitari) o mediche (radiografia e radioterapia). L’articolo e’ in particolare mirato ad applicazioni a sensori a semiconduttore per la rivelazione di radiazioni, e la rivista su cui è stato pubblicato l’articolo è una delle più prestigiose in questo campo a livello internazionale.
Re, Valerio; Manghisoni, Massimo; Ratti, Lodovico; Speziali, Valeria; Traversi, Gianluca
info:eu-repo/semantics/article
none
(2006). Total ionizing dose effects on the noise performances of a 0.13 /spl mu/m CMOS technology [journal article - articolo]. In IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. Retrieved from http://hdl.handle.net/10446/20139
no full text
5
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262
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