This paper discusses the present trends in the design of low-noise front-end systems for room temperature semiconductor detectors. The technological advancement provided by submicron CMOS and BiCMOS processes is examined from several points of view. The noise performances are a fundamental issue in most detector applications and suitable attention is devoted to them for the purpose of judging whether or not the present processes supersede the solutions featuring a field-effect transistor as a front-end element. However, other considerations are also important in judging how well a monolithic technology suits the front-end design. Among them, the way a technology lends itself to the realization of additional functions, for instance, the charge reset in a charge-sensitive loop or the time-variant filters featuring the special weighting functions that may be requested in some applications of CdTe or CZT detectors

(2004). Trends in the design of spectroscopy amplifiers for room temperature solid state detectors [journal article - articolo]. In IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. Retrieved from http://hdl.handle.net/10446/20267

Trends in the design of spectroscopy amplifiers for room temperature solid state detectors

RE, Valerio;
2004-01-01

Abstract

This paper discusses the present trends in the design of low-noise front-end systems for room temperature semiconductor detectors. The technological advancement provided by submicron CMOS and BiCMOS processes is examined from several points of view. The noise performances are a fundamental issue in most detector applications and suitable attention is devoted to them for the purpose of judging whether or not the present processes supersede the solutions featuring a field-effect transistor as a front-end element. However, other considerations are also important in judging how well a monolithic technology suits the front-end design. Among them, the way a technology lends itself to the realization of additional functions, for instance, the charge reset in a charge-sensitive loop or the time-variant filters featuring the special weighting functions that may be requested in some applications of CdTe or CZT detectors
journal article - articolo
2004
Inglese
51
3
1182
1190
Settore ING-INF/01 - Elettronica
Technological research;Microelectronics;Deep submicron;CMOS;Semiconductor sensors
L’articolo si colloca nel contesto della ricerca sui dispositivi elettronici nelle tecnologie più avanzate oggi disponibili. Si tratta di dispositivi basati su strati di ossido di silicio di pochi nanometri, e con definizione geometrica dell’ordine di 100 nanometri, che trovano applicazione nei più innovativi sistemi di telecomunicazioni e di elaborazione delle informazioni. Si tratta di settori di ricerca fra i più attivi a livello scientifico internazionale. L’articolo analizza le prestazioni di questi dispositivi in sistemi per l’elaborazione analogica di segnali. Questa tematica è di fondamentale importanza per applicazioni in telecomunicazioni (sistemi wireless) e e nella strumentazione elettronica per misure con sensori in campo medico e industriale.Inoltre l’articolo affronta il problema della resistenza alle radiazioni, che, oltre a coinvolgere aspetti di notevole interesse dal punto di vista della fisica e della tecnologia dei dispositivi, è di fondamentale importanza per applicazioni spaziali (telecomunicazioni satellitari) o mediche (radiografia e radioterapia). L’articolo e’ in particolare mirato ad applicazioni a sensori a semiconduttore per la rivelazione di radiazioni, ed è stato presentato come relazione a invito (Invited Paper) al 2003 IEEE Nuclear Science Symposium a Portland (Oregon, USA). Si tratta di uno dei congressi più importanti in questo settore. Anche la rivista su cui è stato successivamente pubblicato l’articolo è una delle più prestigiose in questo campo a livello internazionale. impact factor 1.737
Re, Valerio; Manfredi, PIER FRANCESCO
info:eu-repo/semantics/article
none
(2004). Trends in the design of spectroscopy amplifiers for room temperature solid state detectors [journal article - articolo]. In IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. Retrieved from http://hdl.handle.net/10446/20267
no full text
2
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262
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